30GHz PHEMT振荡器

作     者：吴阿慧 Wu Ahui

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2005年第26卷第Z1期

页      码：252-255页

摘      要：介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.

主 题 词：VCO PHEMT MATRK模型 谐波平衡分析 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2005.z1.064

馆 藏 号：203123820...