InGaAs（P）分别限制应变单量子阱激光器的优化设计

作     者：彭宇恒 陈松岩 陈维友 赵铁民 刘式墉 Peng Yuheng;Chen Songyan;Chen Weiyou;Zhao Tiemin;Liu Shiyong(National Integrated Optoelectronics Laboratory,Jilin University Region Institute of Electronic Science and Technology, Jilin University,Changchun 10023)

作者机构：吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区 

出 版 物：《中国激光》 (Chinese Journal of Lasers)

年 卷 期：1996年第23卷第1期

页      码：29-34页

摘      要：针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层波长为１．２４μｍ，厚度为１００ｎｍ。当阱材料引入压缩应变后．由于价带的有效状态密度减小，量子阱激光器的微分增益变大，阱深的增大对增大线性增益的效果更加明显．所以最佳光限制层的波长将变短，为１．

主 题 词：InGaAs(P) 量子阱激光器 激光器 最佳化 设计 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

馆 藏 号：203123927...