高阻衬底上具有n^+浮空层的横向Super Junction MOSFETs(英文)

作     者：段宝兴 张波 李肇基 Duan Baoxing;Zhang Bo;Li Zhaoji

作者机构：电子科技大学IC设计中心成都610054 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60436030 60576052)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第2期

页      码：166-170页

摘      要：提出了一种具有n+浮空层的横向super junction结构,此结构通过磷或砷离子注入在高阻衬底上形成n+浮空层来消除传统横向super junction结构中的衬底辅助耗尽效应.这种效应来源于p型的衬底辅助耗尽了superjunction区的n型层,使p与n之间的电荷不能平衡.n+层的REBULF效应通过使漏端电场减小,体电场重新分布而使新结构中的衬底承担了更多的电压.结果表明这种结构具有高的击穿电压、低的导通电阻和漂移区中电荷平衡的特点.

主 题 词：super junction LDMOST 衬底辅助耗尽 n^+-浮空层 击穿电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2007.02.005

馆 藏 号：203123960...