GaAs光导开关耐压试验研究

作     者：刘娟 时世泰 李寅鑫 戴文明 LIU Juan;SHI Shi-tai;LI Yin-xin;DAI Wen-ming

作者机构：中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621900 

出 版 物：《传感器与微系统》 (Transducer and Microsystem Technologies)

年 卷 期：2008年第27卷第12期

页      码：24-26页

摘      要：对设计制作的3mm间隙共面型GaAs光导开关进行了耐压试验研究。试验中比较了光导开关的静态绝缘电阻、暗电流和击穿电压之间的关系,发现在1 kV时暗电流不高于3μA的光导开关在试验中击穿电压都在12 kV左右,这为试验前评价光导开关的耐压性提供了参考依据。采用不同方式对光导开关进行了绝缘保护,并结合介质击穿理论对试验结果进行了分析,结果表明:绝缘保护可以有效提高耐压特性,绝缘强度达4 kV/mm。

主 题 词：光导开关 GaAs开关 击穿电压 绝缘电阻 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-9787.2008.12.008

馆 藏 号：203124014...