低介电氧氮化硅陶瓷的研制

作     者：廖荣 马桂红 于志永 王重海 刘建 韦中华 袁维军 Liao Rong;Ma Guihong;Yu Zhiyong;Wang Chonghai;Liu Jian;Wei Zhonghua;Yuan Weijun

作者机构：山东工业陶瓷研究设计院淄博255031 济南大学材料学院济南250022 淄博市新材料研究所淄博255040 

出 版 物：《现代技术陶瓷》 (Advanced Ceramics)

年 卷 期：2009年第30卷第1期

页      码：8-11页

摘      要：以氮化硅为主体,外加二氧化硅,研制低密度、高强、低介电的氧氮化硅陶瓷材料。通过分析材料烧结体的XRD物相图、材料的各项性能、材料的显微结构,得出二氧化硅含量对材料性能的影响规律,从而确定了材料最佳配方。

主 题 词：氮化硅 氧氮化硅 介电常数 介电损耗 

学科分类：080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-1198.2009.01.003

馆 藏 号：203124046...