IGCT芯片边缘门极封装结构设计

作     者：孙永伟 陈芳林 曾文彬 潘学军 陈勇民 邹平 SUN Yongwei;CHEN Fanglin;ZENG Wenbin;PAN Xuejun;CHEN Yongmin;ZOU Ping

作者机构：株洲中车时代半导体有限公司湖南株洲412001 

出 版 物：《电子质量》 (Electronics Quality)

年 卷 期：2023年第9期

页      码：55-59页

摘      要：集成门极换流晶闸管(IGCT)是一种电流控制型开关器件,具有开关频率高、阻断电压高、电流大和损耗低等优点,在直流输电和电力变换等领域得到了广泛的应用。IGCT的封装结构对于芯片散热、阻断和通流等性能具有较大影响,目前IGCT广泛应用的封装结构为中间门极形式的结构,但该结构存在一定的改进空间。因此,提出了一种边缘门极封装结构,相较于传统封装结构,其在散热能力和门阴极换流能力方面均有优化,具有一定的推广使用价值。

主 题 词：集成门极换流晶闸管 边缘门极封装结构 门阴极换流 结壳热阻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-0107.2023.09.013

馆 藏 号：203124067...