CNTFET器件及电路辐射效应研究进展

作     者：舒焕 陆芃 闫江 Shu Huan;Lu Peng;Yan Jiang

作者机构：北方工业大学信息学院北京100144 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家自然科学基金(61874002) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2023年第60卷第9期

页      码：1344-1355页

摘      要：简述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)中作为沟道材料的碳纳米管的基本辐射效应原理及其在抗辐射领域的优势,总结了近年来CNTFET在辐射效应机理和加固领域的研究进展。介绍了不同辐射条件在碳纳米管材料和不同结构的CNTFET中诱发的位移损伤效应机理,重点介绍了电介质是影响器件总剂量效应的主要因素,辐射环境也是影响器件辐照后性能变化的重要因素,并针对这两点总结了加固方法及器件和电路的设计,对国内外研究中不同结构的电路的抗辐射能力进行评述。最后介绍了器件受单粒子效应影响的机理,对比了碳基晶体管器件和硅基晶体管器件的抗辐射能力,并展望了CNTFET及其电路的未来太空应用发展。

主 题 词：碳纳米管(CNT) 碳基器件 总剂量效应 位移损伤 单粒子效应(SEE) 

学科分类：07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2023.09.002

馆 藏 号：203124089...