Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制

作     者：王东方 袁婷婷 魏珂 刘新宇 刘果果 WANG Dong-Fang;YUAN Ting-Ting;WEI Ke;LIU Xin-Yu;LIU Guo-Guo

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院研究生院北京100049 

基　　金：自然科学基金"氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究"(60890190) 

出 版 物：《红外与毫米波学报》 (Journal of Infrared and Millimeter Waves)

年 卷 期：2011年第30卷第3期

页      码：255-259页

摘      要：为了提高AlGaN/GaN HEMT的频率,采用了缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了器件结构,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备.测试表明所研制的AlGaN/GaN HEMT可以满足Ka波段应用.其中2×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT在30V漏压下的截止频率为32GHz,最大振荡频率为150GHz;在30GHz连续波测试条件下,线性增益达到10.2dB.6×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT的截止频率为32GHz,最大振荡频率为92GHz;在30GHz连续波测试条件下,线性增益达到8.5dB.器件的击穿电压在60V以上.

主 题 词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 Ka波段 毫米波 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3724/sp.j.1010.2011.00255

馆 藏 号：203124128...