基于同步自适应匹配的模拟前端暗电流补偿方法研究

作     者：郭仲杰 郭优美 李晨 苏昌勖 王杨乐 王彬 吴龙胜 GUO Zhongjie;GUO Youmei;LI Chen;SU Changxu;WANG Yangle;WANG Bin;WU Longsheng

作者机构：西安理工大学西安710048 西安电子科技大学西安710071 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(62171367) 陕西省创新能力支撑计划项目(2022TD-39) 陕西省重点研发计划项目(2021GY-060) 陕西省教育厅科学研究计划项目(19JC029) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2023年第53卷第3期

页      码：451-457页

摘      要：为抑制像素阵列在曝光阶段的暗电流对图像传感器动态范围和输出图像质量的影响,基于同步自适应的暗电流跟踪机制,提出一种电路与系统级暗电流积分补偿方法。通过采样输出有效光电信号,在无源处理阶段同步进行暗电流消除。该方法不仅可以补偿不同区域暗电流对有效光电信号的影响,而且可解决传统暗电流消除方法对读出电路动态范围会造成衰减的问题。基于该方法,在55 nm CMOS工艺下设计了一种752×512阵列规模的CMOS图像传感器,实现了完整的电路设计、版图设计与后端物理验证。结果显示,采用集成暗电流补偿技术的采样放大电路对暗电流最小补偿精度可以达到12 bit,补偿范围最大可以达到500 mV,单列功耗仅有15.84μW,同时可实现1~4倍的增益,最小增益步进6.25%。实现了从模拟前端根除暗电流对CMOS图像传感器图像质量和动态范围的影响,为高端、高性能的CMOS图像传感器设计提供了一定的理论支撑。

主 题 词：CMOS图像传感器 暗电流补偿 同步自适应 动态范围 可编程增益放大器 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.220385

馆 藏 号：203124146...