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一种L~E波段的A型上电极MEMS单刀三掷开关设计

一种L~E波段的A型上电极MEMS单刀三掷开关设计

作     者:宁朝东 湛永鑫 吴倩楠 王俊强 李孟委 NING Chaodong;ZHAN Yongxin;WU Qiannan;WANG Junqiang;LI Mengwei

作者机构:中北大学仪器与电子学院太原030051 中北大学前沿交叉科学研究院太原030051 中北大学微系统集成研究中心太原030051 中北大学理学院太原030051 

基  金:装备发展部型谱项目(2006WW0011) 装备发展部新品项目(2019NW0010) 

出 版 物:《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期:2023年第53卷第3期

页      码:506-511页

摘      要:针对单刀多掷开关(SPMT)在相控阵雷达、宽带收发器中用于切换滤波器和传输线时需要满足宽频带、高隔离度的性能需求,设计了一种宽频带、高隔离度的MEMS单刀三掷开关(SP3T)。通过ANSYS电磁仿真软件中的HFSS模块对MEMS SP3T开关进行优化,利用COMSOL软件对上电极的机械性能进行仿真。仿真结果表明,所设计的MEMS SP3T开关可工作在1~90 GHz的频带内,且插入损耗小于1 dB@90 GHz,隔离度大于35 dB@90 GHz,其整体体积约为0.75 mm3。

主 题 词:宽频带 高隔离度 MEMS SP3T 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D O I:10.13911/j.cnki.1004-3365.220230

馆 藏 号:203124160...

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