高质量5 in InSb单晶生长

作     者：董涛 赵超 彭志强 折伟林 贺利军 李振兴 DONG Tao;ZHAO Chao;PENG Zhi-qiang;SHE Wei-lin;HE Li-jun;LI Zhen-xing

作者机构：华北光电技术研究所北京100015 

基　　金：国家自然科学基金项目(62005318) 

出 版 物：《红外》 (Infrared)

年 卷 期：2023年第44卷第10期

页      码：10-14页

摘      要：锑化铟(InSb)焦平面探测器是中波红外探测领域应用广泛的一种探测器。作为制备探测器的基础,InSb晶体材料的质量和性能显得尤为重要。近年来InSb晶体材料在向高质量大尺寸方向发展。通过多举措坩埚设计和温场条件设计,采用直拉法生长了直径大于135 mm的InSb单晶。测试结果表明,5 in晶片的位错腐蚀坑密度小于50 cm-2,双晶衍射峰的半峰宽为8.32 arcsec,晶体具有相当好的完整性。通过优化生长工艺参数,晶体生长过程中具有较为平坦的固液界面,表现出良好的径向电学均匀性。这为制备低成本和超大规模InSb红外探测器阵列奠定了基础。

主 题 词：锑化铟 单晶 位错密度 电学均匀性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-8785.2023.10.002

馆 藏 号：203124189...