碳化硅沟槽栅MOSFET技术研究进展

作     者：罗海辉 李诚瞻 姚尧 杨松霖 LUO Haihui;LI Chengzhan;YAO Yao;YANG Songlin

作者机构：株洲中车时代半导体有限公司湖南株洲412001 功率半导体与集成技术全国重点实验室湖南株洲412001 

基　　金：湖南省科技重大项目(2021GK1180) 

出 版 物：《机车电传动》 (Electric Drive for Locomotives)

年 卷 期：2023年第5期

页      码：10-25页

摘      要：第三代宽禁带半导体碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)具备耐高压、耐高温和低损耗等优点,迅速成为行业的研究热点。文章结合SiC功率MOSFET器件发展历史,探讨了从平面栅技术发展到沟槽栅技术的必要性,介绍了SiC沟槽栅MOSFET结构设计、沟槽刻蚀工艺和沟槽栅氧工艺等核心问题的研究进展与技术挑战,并对未来新型SiC沟槽栅MOSFET技术进行了展望。

主 题 词：碳化硅 沟槽栅MOSFET 沟槽工艺 沟槽栅氧 沟槽结构 新型沟槽 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13890/j.issn.1000-128X.2023.05.002

馆 藏 号：203124207...