应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管栅电容特性研究

作     者：王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 宋建军 周春宇 李妤晨 Wang Bin;Zhang He-Ming;Hu Hui-Yong;Zhang Yu-Ming;Song Jian-Jun;Zhou Chun-Yu;Li Yu-Chen

作者机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071 

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:P140c090303110c0904) 高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:JY0300122503) 中央高校基本科研业务费(批准号:K5051225014 K5051225004) 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2013年第62卷第12期

页      码：430-436页

摘      要：由于台阶的出现,应变SiGe p型金属氧化物半导体场效应管(pMOSFET)的栅电容特性与体Si器件的相比呈现出很大的不同,且受沟道掺杂的影响严重.本文在研究应变SiGe pMOSFET器件的工作机理及其栅电容C-V特性中台阶形成机理的基础上,通过求解器件不同工作状态下的电荷分布,建立了应变SiGe pMOSFET栅电容模型,探讨了沟道掺杂浓度对台阶的影响.与实验数据的对比结果表明,所建立模型能准确反映应变SiGe pMOSFET器件的栅电容特性,验证了模型的正确性.该理论为Si基应变金属氧化物半导体(MOS)器件的设计制造提供了重要的指导作用,并已成功应用于Si基应变器件模型参数提取软件中,为Si基应变MOS的仿真奠定了理论基础.

主 题 词：应变 SiGe pMOSFET 栅电容特性 台阶效应 沟道掺杂 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.62.127102

馆 藏 号：203124228...