基于SiGe BiCMOS W波段混频器设计

作     者：陈翔 周春霞 程国枭 吴文 CHEN Xiang;ZHOU Chun-xia;CHENG Guo-xiao;WU Wen

作者机构：南京理工大学、电子工程与光电技术学院、近程射频感知芯片与微系统教育部重点实验室南京210094 

出 版 物：《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期：2023年第39卷第S1期

页      码：382-385页

摘      要：基于130nm SiGe BiCMOS工艺,本文采用双吉尔伯特单元结构设计了一款高线性度的下变频混频器。在混频器的跨导级加入退化电感提高混频器的线性度,并且在中频输出端使用有源双转单电路,实现单端输出并提供增益。版图仿真结果表明,在本振功率为4dBm时,转换增益为4.89dB,噪声系数为15.44dB,在本振信号为90G,射频信号为91G时,输入1dB压缩点P1dB为-0.02dBm,在3.3V的工作电压下,工作电流为14.1mA,功耗为46.53mW。

主 题 词：W波段 下变频混频器 高线性度 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203124272...