应用于5G的新型高线性度功率放大器设计

作     者：姚凤薇 YAO Fengwei

作者机构：上海电子信息职业技术学院上海201411 

基　　金：上海市自然科学基金项目(17ZR1411100) 上海电子信息职业技术学院高层次科研启动资助项目(GCC2023027) 

出 版 物：《现代电子技术》 (Modern Electronics Technique)

年 卷 期：2023年第46卷第22期

页      码：5-8页

摘      要：基于三安公司的2μm GaAs HBT工艺,设计一种工作在5G N78频段的高线性功率放大器。为了解决大信号和高温下功率管静态工作点稳定性差的问题,提出一种在传统电流镜结构中添加分压晶体管、负反馈电阻及镇流电阻的新型有源自适应偏置电路,通过调节阻值大小来调节分压晶体管电压,从而达到减小静态工作点的偏移、提高线性度的目的。此外,在功放的末级匹配中添加多LC串联及TANK结构,既对输出匹配网络进行了优化,又抑制了二、三、四阶高次模频率。结果表明:小信号增益大于31.2 dB;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-44.46 dBc;输出功率为27.56 dBm时,相邻信道泄漏比小于-37.62 dBc。所提方法具有良好的线性性能。

主 题 词：射频功率放大器 高线性度 5G 分压晶体管电压 偏置电路 LC匹配结构 IMD3仿真 ACLR测试 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16652/j.issn.1004-373x.2023.22.002

馆 藏 号：203124343...