W波段高输出功率CMOS功率放大器研究与设计

作     者：朱骁 黄向荣 贾海昆 ZHU Xiao;HUANG Xiangrong;JIA Haikun

作者机构：清华大学集成电路学院北京100084 

出 版 物：《微纳电子与智能制造》 (Micro/nano Electronics and Intelligent Manufacturing)

年 卷 期：2023年第5卷第2期

页      码：30-35页

摘      要：针对长距离通信和雷达应用,基于65 nm CMOS工艺设计了一款工作在W波段的功率放大器。此放大器共采用5级级联结构以提高增益,采用差分共源共栅输出级与两路合成结构以提高输出功率。此外此电路中还采用了中和电容、共源共栅中间节点并联电感等技术来提高性能。后仿真实验结果表明,在电源电压为1.2 V(共源极)/2.2 V(共源共栅级)下,此功率放大器带宽为91.4~115.8 GHz,小信号增益达32.5 dB,在106 GHz频率下饱和输出功率(Psat)22.0 dBm,输出1 dB压缩点(OP1d B)功率为14.4 dBm,功率附加效率大于10%。

主 题 词：毫米波 W波段 功率放大器 

学科分类：080802[080802] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.19816/j.cnki.10-1594/tn.2023.06.030

馆 藏 号：203124407...