利用Li^(+)插层调控WS_(2)光电器件响应性能研究

作     者：宋雨心 李玉琦 王凌寒 张晓兰 王冲 王钦生 Song Yu-Xin;Li Yu-Qi;Wang Ling-Han;Zhang Xiao-Lan;Wang Chong;Wang Qin-Sheng

作者机构：北京理工大学物理学院量子物理实验中心先进光电量子结构设计与测量教育部重点实验室北京100081 

基　　金：国家重点研发计划(批准号:2020YFA0308800,2022YFA1206600) 国家自然科学基金(批准号:12074036) 北京市自然科学基金(批准号:Z190006)资助的课题 

出 版 物：《物理学报》 (Acta Physica Sinica)

年 卷 期：2023年第72卷第22期

页      码：26-36页

摘      要：过渡金属硫族化合物由于其具有独特的结构和性质,在光电子学、纳米电子学、储能器件、电催化等领域具有广泛的应用前景,是一类被持续关注的代表性二维层状材料.在材料应用过程中,对材料掺杂特性的调控会极大地改变器件的响应性能.因而,对利用掺杂手段调控过渡金属硫族化合物器件响应性能的研究具有重要的意义.电化学离子插层方法的发展为二维材料的掺杂调控提供了新的手段.本文以WS_(2)为例,采用电化学离子插层方法对厚层WS_(2)的掺杂特性进行优化,观察到离子插入后器件电导率的显著增强(约200倍),以及栅压对器件光电响应性能的有效且可逆的调控.本文通过栅压控制离子插层的方法实现对WS_(2)器件光电响应的可逆可循环调节,为利用离子插层方法调控二维材料光电器件响应性能研究提供了实验基础.

主 题 词：WS_(2) 离子插层 光电响应 掺杂调控 

学科分类：08[工学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.7498/aps.72.20231000

馆 藏 号：203124538...