基于内建自测试电路的NAND Flash测试方法

作     者：解维坤 白月芃 季伟伟 王厚军 XIE Weikun;BAI Yuepeng;JI Weiwei;WANG Houjun

作者机构：电子科技大学自动化学院成都610097 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035 电子科技大学深圳高等研究院深圳518110 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2023年第23卷第11期

页      码：18-24页

摘      要：随着NAND Flash在存储器市场中的占比与日俱增,对NAND Flash的测试需求也越来越大。针对NAND Flash存储器中存在的故障类型进行讨论,并对现有测试算法进行分析,为提高故障覆盖率以及降低测试时间,对现有的March-like测试算法做出改进,改进算法比March-like算法的故障覆盖率提高了16.7%,测试时间减少了30%。完成存储器内建自测试(MBIST)电路设计,设计了FPGA最小系统板并进行板级验证,结果验证了MBIST电路以及改进的测试算法的可行性。

主 题 词：NAND Flash 存储器内建自测试 March-like Flash故障类型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0168

馆 藏 号：203124548...