基于温度补偿的1V CMOS电流基准源

作     者：朱冬勇 杨银堂 朱樟明 朱文举 徐俊平 Zhu Dongyong;Yang Yintang;Zhu Zhangming;Zhu Wenju;Xu Junping

作者机构：西安电子科技大学微电子研究所西安710071 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60476046) 教育部博士点基金资助项目(20050701015) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2008年第33卷第4期

页      码：339-342页

摘      要：利用零温度系数偏置点技术和温度补偿技术设计了一个超低压、低功耗的电流基准源。使用亚阈值工作的超低压运放构成带隙基准,对MOS管进行温度补偿,使MOS管工作在零温度系数偏置点。在1V工作电压,TSMC0.25μmCMOS工艺下,用Cadence Spectre仿真,在-20～120℃的温度内,输出电流为19.06μA,温度系数仅为18.7×10^-6,功耗为53.5μW。

主 题 词：零温度系数 温度补偿 超低压 互补型金属氧化物晶体管 电流基准 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2008.04.017

馆 藏 号：203124574...