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英飞凌成功推出第五代thinQ!TM SiC肖特基势垒二极管

英飞凌成功推出第五代thinQ!TM SiC肖特基势垒二极管

作     者:郑冬冬 

出 版 物:《半导体信息》 (Semiconductor Information)

年 卷 期:2012年第6期

页      码:16-16页

摘      要:英飞凌近日宣布推出第五代650 V thinQ!TM SiC肖特基势垒二极管,壮大其SiC产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品,如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合在一起,改进了热特性,并使一个优值系数(Qc x Vf)与英飞凌前代SiC二极管相比降低了大约30%。

主 题 词:TM SiC thinQ 英飞凌 扩散焊接 产品阵容 第三代 太阳能逆变器 不间断电源 正向电压 SMPS 

学科分类:080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号:203124576...

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