一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关

作     者：胡光伟 刘泽文 侯智昊 李志坚 HU Guang-wei;LIU Ze-wen;HOU Zhi-hao;LI Zhi-jian

作者机构：清华大学微电子学研究所北京100084 

基　　金：国家自然科学基金资助(60576048) 北京市科委项目基金资助(GYYKW05070014) 

出 版 物：《传感技术学报》 (Chinese Journal of Sensors and Actuators)

年 卷 期：2008年第21卷第4期

页      码：656-659页

摘      要：设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RFMEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S2169.5dB@DC-3GHz,S31>69.2dB@DC-3GHz。结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3GHz的频段内均较小,非常适合低频使用。

主 题 词：RF MEMS 开关 单刀多掷 接触式 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0802[工学-机械学] 0811[工学-水利类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-1699.2008.04.031

馆 藏 号：203124655...