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一维光子晶体的带隙特性研究

一维光子晶体的带隙特性研究

作     者:高永芳 时家明 赵大鹏 陈宗胜 GAO Yongfang;SHI Jiaming;ZHAO Dapeng;CHEN Zongsheng

作者机构:脉冲功率激光技术国家重点实验室合肥230037 电子工程学院安徽省红外与低温等离子体重点实验室合肥230037 

基  金:“新世纪优秀人才支持计划” 安徽省红外与低温等离子体重点实验室基金(2007A005005E) 

出 版 物:《材料导报》 (Materials Reports)

年 卷 期:2011年第25卷第18期

页      码:132-134页

摘      要:一维光子晶体是指介质只在一个方向成周期性排列的材料。利用薄膜光学的特征矩阵法研究了一维光子晶体的禁带特性,分析了填充率变化、厚度的随机扰动对光子带隙的影响。结果表明,随着填充率的变化,各能级的带隙率变化,并且存在一个极大值;厚度的随机扰动对光子带隙也有一定的影响,随机度不同,对光子带隙的影响也不一样。本研究对一维光子晶体的设计与制备有一定的参考价值。

主 题 词:光子晶体 光子带隙 特征矩阵 

学科分类:070207[070207] 07[理学] 08[工学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录:

馆 藏 号:203124682...

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