一种面向Flash存算阵列的可调电荷泵

作     者：刘泊志 虞致国 顾晓峰 LIU Bozhi;YU Zhiguo;GU Xiaofeng

作者机构：江南大学电子工程系物联网技术应用教育部工程研究中心江苏无锡214122 

基　　金：江苏省重点研发计划产业前瞻与关键核心技术(BE2023019-3) 长三角科技创新共同体联合攻关项目(2022CSJGG0402) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2023年第53卷第5期

页      码：861-868页

摘      要：Flash存算阵列在工作模式下需要用到不同内部驱动电压,因此基于当前各类Dickson型电荷泵,设计了一种针对Flash存算阵列的可调电荷泵。采用一种新型输出级的交叉耦合设计,解决了传统电荷泵最后一级阈值电压导致的低泵送效率的问题,并通过辅助MOS管增强了传统电荷泵中体源二极管对反向漏电流的抑制能力。55 nm CMOS工艺下的仿真结果表明,与改进前的电荷泵相比,在电源电压1.8 V和300μA的工作电流下,中间级反向漏电流减少了17.5%,输出级反向漏电流减少了73.1%。无反馈调节时,主电荷泵最高输出电压为9.56 V,电压效率达88.51%。PFM可调制模式下,可重构电荷泵能实现输出电压切换。

主 题 词：Flash存算器件 电荷泵 体源二极管 交叉耦合 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.230070

馆 藏 号：203124697...