4500V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试

作     者：何骏伟 陈思哲 任娜 柏松 陶永洪 刘奥 盛况 He Junwei;Chen Sizhe;Ren Na;Bai Song;Tao Yonghong;Liu Ao;Sheng Kuang

作者机构：浙江大学电气工程学院杭州310027 南京电子器件研究所南京210016 

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金(2014FZA4014) 浙江省教育厅科研项目(Y201329864)资助 

出 版 物：《电工技术学报》 (Transactions of China Electrotechnical Society)

年 卷 期：2015年第30卷第17期

页      码：63-69页

摘      要：基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动态开关测试。测试结果表明,制备模块具备了相应的电流导通和电压阻断能力,同时开关特性良好,模块的容量是目前国内已报道的最高水平。

主 题 词：碳化硅 肖特基势垒二极管 结型场效应晶体管 功率模块 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-6753.2015.17.007

馆 藏 号：203124794...