桥式电路中SiC MOSFET串扰峰值预测算法研究

作     者：刘恒阳 孔武斌 涂钧耀 楼航船 巫翔龙 李大伟 曲荣海 LIU Hengyang;KONG Wubin;TU Junyao;LOU Hangchuan;WU Xianglong;LI Dawei;QU Ronghai

作者机构：华中科技大学电气与电子工程学院湖北省武汉市430074 中国船舶集团有限公司第七二二研究所湖北省武汉市430205 

基　　金：国家自然科学基金项目(51977095) 广东省基础与应用基础研究基金项目(2021B1515120044) 

出 版 物：《中国电机工程学报》 (Proceedings of the CSEE)

年 卷 期：2023年第43卷第22期

页      码：8862-8873页

摘      要：文中针对串扰电压峰值与驱动回路阻抗间的非线性关系,分段分析共源电感存在时串扰产生机理,提出一种碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)串扰电压的分析模型及预测算法。所提算法综合考虑共源电感、非线性极间电容等寄生参数与探头接线的影响,可实现引脚测量串扰电压的准确计算及器件内部串扰电压的提取。进一步,该算法针对栅极回路建模,并利用实测数据引入漏源电压与源极电流时变性,可适用于多桥臂电路及不同器件工况。最后,实验结果表明,所提算法可精准预测不同关断态驱动阻抗下的串扰峰值,其正向峰值平均预测误差仅为3.2%。该算法可为SiC MOSFET驱动电路设计提供定量计算参考。

主 题 词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 驱动阻抗设计 串扰预测 共源电感 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.13334/j.0258-8013.pcsee.221693

馆 藏 号：203125030...