一种新型凹源HV-NMOS器件研究

作     者：孙伟锋 易扬波 吴烜 王平 吴建辉 

作者机构：东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096 

基　　金：国家"8 6 3"超大规模集成电路专项资助课题 ( No.2 0 0 2 AA1 Z1 5 5 0 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2004年第24卷第3期

页      码：286-290页

摘      要：设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特性曲线 ,击穿电压比传统 HV-NMOS提高了 3 7.5 %。同时分析了凹源结构、p阱、缓冲层 ( Buffer层 )及场极板对改善 HV-NMOS工作特性的有效作用 ,最后给出了该凹源 HV-NMOS的流水实验测试结果。

主 题 词：高压N型金属-氧化物-半导体 凹源 缓冲区 场极板 击穿电压 

学科分类：080903[080903] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2004.03.004

馆 藏 号：203125139...