0.25μm发射极InP DHBT材料生长与器件性能研究

作     者：马奔 于海龙 戴姜平 王伟 高汉超 李忠辉 MA Ben;YU Hailong;DAI Jiangping;WANG Wei;GAO Hanchao;LI Zhonghui

作者机构：南京电子器件研究所南京210016 固态微波器件与电路全国重点实验室南京210016 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2023年第43卷第6期

页      码：510-513页

摘      要：采用固态源分子束外延系统(SSMBE),研究InP双异质结双极晶体管(DHBT)的结构设计及外延生长技术。通过采用碳掺杂浓度和InGaAs组分双缓变的基区生长工艺,提高基区的内建电场,加速载流子的渡越,提高基于0.25μm发射极工艺InP DHBT器件的频率性能。此外,InGaAs帽层材料通过双Si源掺杂以及调控生长条件,实现高N型掺杂,材料表面粗糙度为0.42 nm。利用该双缓变基区以及高N型掺杂帽层生长工艺,制备0.25μm发射极InP DHBT器件,其增益为29,击穿电压为3.8 V,在工作电流密度为5.7 mA/μm2时,电流增益截止频率为403 GHz,最大振荡频率达到660 GHz。

主 题 词：分子束外延 双异质结晶体管 铟镓砷 截止频率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.19623/j.cnki.rpsse.2023.06.005

馆 藏 号：203125196...