一种基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性混频器

作     者：段昊阳 权海洋 王盟皓 魏慧婷 张秋艳 崔旭彤 侯训平 张超轩 DUAN Haoyang;QUAN Haiyang;WANG Menghao;WEI Huiting;ZHANG Qiuyan;CUI Xutong;HOU Xunping;ZHANG Chaoxuan

作者机构：北京微电子技术研究所北京100076 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2023年第40卷第12期

页      码：95-101页

摘      要：设计了一种低本振驱动的高线性混频器,重点关注混频器的线性度性能和本振驱动功率问题.混频器的核心电路结构包含比较器,本振驱动器,双平衡无源混频器和带隙基准电路.为了提供本振信号通路的单端转差分功能,以及减小混频器对本振驱动功率的要求,引入比较器和本振驱动器,并采用双平衡无源混频器提供良好的线性度.采用0.18µm的SiGe双极兼容互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺,同时支持上变频和下变频功能.实测结果表明,射频端口可覆盖6~18 GHz频段的信号,中频端口可覆盖0~6 GHz频段的信号;下变频时和上变频时的变频损耗典型值分别为-10.0 dB和-9.8 dB;IIP3在工作频段内的最大值分别为23.0 dBm和23.4 dBm;功耗为500 mW.在实现高线性度混频器的基础上,减小了输入本振功率的需求,提高了高线性混频器的实用性.

主 题 词：无源混频器 低本振驱动 高线性混频器 BiCMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 

D　O　I：10.19304/J.ISSN1000-7180.2022.0880

馆 藏 号：203125222...