基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试

作     者：睢林 曹咏弘 王耀利 张凯旗 张翀 程亚昊 Sui Lin;Cao Yonghong;Wang Yaoli;Zhang Kaiqi;Zhang Chong;Cheng Yahao

作者机构：中北大学仪器与电子学院太原030051 中北大学前沿交叉科学研究院太原030051 中北大学电气与控制学院太原030051 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2024年第49卷第1期

页      码：97-102页

摘      要：为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接,通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试,最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示,1~8 GHz内,器件的插入损耗为-15~-35 dB,回波损耗为-15~-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。

主 题 词：射频器件 无损测试 各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构 GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET) 单刀八掷(SP8T)开关 插入损耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2024.01.012

馆 藏 号：203125253...