VHF频段小型化千瓦级GaN功率放大器

作     者：张晓帆 默江辉 高永辉 倪涛 余若祺 斛彦生 徐守利 Zhang Xiaofan;Mo Jianghui;Gao Yonghui;Ni Tao;Yu Ruoqi;Hu Yansheng;Xu Shouli

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 固态微波器件与电路全国重点实验室石家庄050051 

基　　金：国家自然科学基金(U2241220) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2024年第49卷第1期

页      码：45-49页

摘      要：为了满足VHF频段对高功率放大器小型化的需求,设计并制备了一款基于05μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的VHF频段小型化千瓦级功率放大器。通过采用多节微带电容网络和高介电常数的印制电路板(PCB)实现了末级功率放大器匹配电路的小型化;以高通滤波器作为级间匹配电路,在减小电路尺寸的同时,提高了链路增益;采用混合集成工艺,实现了电源调制器、前级驱动功率放大器和末级功率放大器等各单元的小型化高密度集成。测试结果表明,在024~030 GHz频带内,该功率放大器的工作电压为50 V,工作脉宽为100μs,在占空比10%、输入功率10 dBm的工作条件下,带内输出功率大于1000 W,功率附加效率约为60%~69%,功率增益大于50 dB,功放体积为46 mm×30 mm×6 mm。

主 题 词：千瓦级 GaN功率放大器 小型化 VHF频段 混合集成 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2024.01.004

馆 藏 号：203125264...