S波段GaAs PHEMT宽调谐比可重构滤波器芯片设计

作     者：骆银松 吕立明 李智鹏 LUO Yinsong;LYU Liming;LI Zhipeng

作者机构：中国工程物理研究院电子工程研究所四川绵阳621999 

出 版 物：《太赫兹科学与电子信息学报》 (Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technology)

年 卷 期：2023年第21卷第12期

页      码：1507-1512,1518页

摘      要：基于单片微波集成电路技术设计了一款S波段频率可调谐滤波器芯片,该可调谐滤波器芯片采用信道化结构,通过选择不同通道实现宽调谐比。其中每个通道采用多级放大器与无源滤波网络级联的形式提高该滤波电路的选择性,通过在无源滤波网络引入变容二极管实现通道频率的连续调谐,该结构可在滤波器具备较高选择性的前提下实现宽调谐比。采用0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计了一款S波段双通道信道化可重构滤波器,仿真结果表明,在0~3 V控制电压范围下,该滤波器中心频率调谐范围为2.5~4 GHz,带宽变化范围为420~650 MHz,调谐比达到60%,滤波器芯片尺寸为3 mm×3.1 mm。该设计为片上可重构射频滤波实现宽频率调谐比提供了一条技术途径。

主 题 词：可重构滤波器 信道化滤波器 单片微波集成电路 宽调谐比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.11805/TKYDA2021359

馆 藏 号：203125321...