功率集成电路TID加固环栅器件研究现状综述

作     者：罗萍 吴昱操 范佳航 张致远 冯皆凯 赵忠 LUO Ping;WU Yucao;FAN Jiahang;ZHANG Zhiyuan;FENG Jiekai;ZHAO Zhong

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室成都611731 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院重庆400060 

基　　金：重庆市自然科学基金资助项目(CSTB2023NSCQMSX0153) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2023年第53卷第6期

页      码：957-964页

摘      要：总结了标准工艺下功率集成电路中总剂量辐射(TID)加固环栅MOS器件与环栅功率器件的研究现状,归纳了不同结构形态的环栅器件的性能优劣,推荐8字形环栅MOS器件、华夫饼功率器件及回字形LDMOS器件结构用于功率集成电路的TID加固设计。同时,阐述了现有环栅MOS器件等效W/L的建模情况,提出保角变换是环栅MOS器件等效W/L精确建模的重要方法,最后还给出了环栅器件建库的基本流程。

主 题 词：总剂量辐射加固 环栅MOS器件 环栅功率MOS 等效W/L建模 环栅器件建库 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.230434

馆 藏 号：203125323...