GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究

作     者：朱峻岩 张优 王鹏 黄伟 张卫 邱一武 周昕杰 ZHU Junyan;ZHANG You;WANG Peng;HUANG Wei;ZHANG Wei;QIU Yiwu;ZHOU Xinjie

作者机构：复旦大学微电子学院上海200433 中科芯集成电路有限公司江苏无锡214072 

基　　金：国家自然科学基金(6202780115) 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2024年第24卷第1期

页      码：61-67页

摘      要：创新地开展p型栅GaN器件的单粒子辐照与建模研究,提取的单粒子激励电流被加载用于全GaN的低压差线性稳压器(LDO)稳压电路的单粒子设计中,获得了该电路单粒子敏感节点,最终得到该节点在重载状态与轻载状态时对应的单粒子瞬态(SET)响应分别为500 mV/60 ns,1210 mV/60 ns。上述研究建立起GaN器件-全GaN基电路的T-CAD/SPICE单粒子效应协同设计方法。

主 题 词：GaN辐照效应 GaN LDO 抗辐照加固 p型栅GaN器件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2024.0010

馆 藏 号：203125386...