高功率880nm激光芯片可靠性验证分析

作     者：张欢欢 余良清 阮仕环 罗崇禧 祝攀飞 Zhang Huanhuan;Yu Liangqing;Ruan Shihuan;Luo Chongxi;Zhu Panfei

作者机构：深圳华通威国际检验有限公司广东深圳518000 

出 版 物：《中国仪器仪表》 (China Instrumentation)

年 卷 期：2024年第1期

页      码：70-72页

摘      要：高功率880nm激光芯片的结构设计,均采用大光学腔和小于0.62cm-1的低内损,并通过MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)工艺实现这种结构的外延。通过一系列标准和特殊制造工艺,实现了200μm发射器宽度和4mm腔长激光芯片。在P面朝下贴装在AlN陶瓷基板上后,测试880nm激光器的阈值电流为1.1A,斜率效率为1.11W/A,中心工作波长为11A时为880.8nm,光谱半高宽(FWHM)为2.2nm。在16A的连续电流和20°C的冷却水温下进行加速老化试验,老化时间达到2000h时无故障。根据ISO/FDIS 17526的Arrhenius模型,MTTF(Mean time to failure)计算为20万小时。

主 题 词：880nm 高功率 激光芯片 MTTF 

学科分类：080903[080903] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-2852.2024.01.014

馆 藏 号：203125409...