AlGaAs基光电阴极光学性质计算模型分析

作     者：赵静 冯琤 覃翠 郭婧 ZHAO Jing;FENG Cheng;QIN Cui;GUO Jing

作者机构：南京工程学院信息与通信工程学院江苏南京211167 南京工程学院自动化学院江苏南京211167 

基　　金：国家自然科学基金项目(62001214) 江苏省自然科学基金项目(BK20191012) 

出 版 物：《南京工程学院学报（自然科学版）》 (Journal of Nanjing Institute of Technology(Natural Science Edition))

年 卷 期：2023年第21卷第3期

页      码：14-20页

摘      要：为了分析不同波长响应对光电阴极结构的要求,提出适用于各类响应的AlGaAs基光电阴极的计算模型.通过宽光谱响应GaAs和窄带响应AlGaAs基光电阴极样品试验证实模型的有效性.基于该模型仿真研究AlGaAs基光电阴极组件中GaAs发射层及各子层、AlGaAs窗口层、Si_(3)N_(4)增透层的厚度与400~900 nm单波长光子吸收情况的分布关系.仿真结果表明,同一波长响应下,GaAs发射层对光电阴极吸收率的影响最大,其次是Si_(3)N_(4)增透层,而AlGaAs窗口层对吸收率的影响不明显.要得到90%以上的吸收率,在600 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于0.5μm,700 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于0.8μm,800 nm波长响应下GaAs发射层厚度应大于1.5μm.400~600 nm波段的光子主要在GaAs发射层表面0.2μm内被吸收,700~800 nm波段的光子主要在GaAs发射层表面0.6μm内被吸收,而850 nm以后的光子在各子层间的吸收比较均匀.该结论对不同响应AlGaAs基光电阴极的优化设计具有一定的参考价值.

主 题 词：AlGaAs基光电阴极 多发射层模型 吸收率 阴极厚度 单波长 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13960/j.issn.1672-2558.2023.03.003

馆 藏 号：203125410...