锯齿型GeSe纳米带的边缘态对整流效应的调控研究

作     者：王芳 张亚君 郭彩霞 王天兴 郝首亮 Wang Fang;Zhang Yajun;Guo Caixia;Wang Tianxing;Hao Shouliang

作者机构：河南师范大学电子与电气工程学院河南新乡453007 河南师范大学河南省光电传感集成应用重点实验室河南新乡453007 河南师范大学增材智能制造河南省工程实验室河南新乡453007 河南师范大学物理学院河南新乡453007 

基　　金：国家自然科学基金(62075057,62075058) 河南省青年自然科学基金(212300410185) 河南省高等学校重点科研项目(21A510005) 

出 版 物：《河南师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition))

年 卷 期：2024年第52卷第1期

页      码：108-115页

摘      要：锯齿型硒化锗(ZGeSeNR)是准一维纳米结构的材料,由于其具有特殊的维度特性及优异的电子特性而成为研究热点.本研究使用密度泛函理论和非平衡格林函数结合的方法,系统地研究了边缘结构对锯齿形硒化锗纳米带的电子结构及输运性质的影响.能带结构图显示边缘裸露的ZGeSeNR、P和S原子钝化边缘的ZGeSeNR具有导电的金属性质,用F,Cl,H原子和OH-根离子钝化处理边缘后的ZGeSeNR则表现出半导体性质.基于不同边缘结构的ZGeSeNR构建金属-半导体界面的两电极器件模型,计算出的器件电压-电流曲线证实了边缘态对整流效应的调控作用.特别是裸露-H原子钝化的锯齿型GeSe纳米带(H-ZGeSeNR)器件中的整流比可达到8.7×10^(5).改变该器件结构中散射区内钝化原子的数目来调控整流特性,最高可得到1.1×10^(7)的整流比.研究结果对设计ZGeSeNR纳米整流器提供了重要参考.

主 题 词：ZGeSe纳米带 边缘钝化 整流效应 电子输运 

学科分类：07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.16366/j.cnki.1000-2367.2022.12.01.0002

馆 藏 号：203125468...