垂直应变对Graphene/GaN异质结肖特基势垒和光学性质的影响

作     者：秦云辉 陈兰丽 余宏生 QIN Yunhui;CHEN Lanli;YU Hongsheng

作者机构：湖北理工学院数理学院湖北黄石435003 

基　　金：国家自然科学基金项目(项目编号:52002123) 教育部产学合作协同育人项目(项目编号:202101346006) 

出 版 物：《湖北理工学院学报》 (Journal of Hubei Polytechnic University)

年 卷 期：2024年第40卷第1期

页      码：56-61页

摘      要：半导体中金-半接触时界面处的能带弯曲形成肖特基势垒。为了获取高性能微纳电子或光子器件,必须对接触处势垒高度和接触类型进行调控。文章采用密度泛函理论研究了graphene/GaN异质结的界面行为、金-半接触类型以及光学性质。研究发现,异质结中的graphene和GaN保留了各自的本征电子性质,在界面处形成肖特基接触。通过有效调控层间距、graphene/GaN异质结中肖特基势垒以及肖特基势垒类型,可实现肖特基势垒由p型向n型转变,极大地提高光吸收强度,证实了graphene/GaN异质结中肖特基接触能进行有效调控,为设计高性能微纳电子器件提供参考。

主 题 词：异质结 肖特基势垒 光学性质 第一性原理计算 

学科分类：080903[080903] 07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.2095-4565.2024.01.011

馆 藏 号：203125478...