SiO_2/Si上直流磁控反应溅射制备AlN薄膜

作     者：范克彬 沈伟东 王立春 熊斌 FAN Ke-bin;SHEN Wei-dong;WANG Li-chun;XIONG Bin

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室浙江杭州310027 

出 版 物：《材料科学与工程学报》 (Journal of Materials Science and Engineering)

年 卷 期：2007年第25卷第1期

页      码：48-51页

摘      要：利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AlN薄膜的(002)择优取向的影响水平。利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高度择优取向的AlN薄膜的最佳期望条件:衬底温度为250℃,溅射气压为2Pa,N2浓度为75%;并得出了氮气浓度对薄膜的(002)择优取向的影响较大。具有择优取向的AlN薄膜的折射率约为2.06。

主 题 词：氮化铝薄膜 正交设计 溅射参数 择优取向 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1673-2812.2007.01.012

馆 藏 号：203125499...