75伏功率Trench MOSFET设计

作     者：王庚 WANG Geng

作者机构：营口边防检查站辽宁营口115000 

出 版 物：《辽宁大学学报（自然科学版）》 (Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition)

年 卷 期：2010年第37卷第4期

页      码：347-350页

摘      要：简单介绍了Trench MOSFET的基本结构和工作原理.以漏源耐压75伏器件为例,详细的讨论该类器件的设计方法.依据一定的器件电参数指标,给出了相应的一套完整的结构设计数据.从外延片的选择到各类纵向和横向结构参数的确定都给出了具体的计算方法和最终结果.

主 题 词：Trench MOSFET 设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-5846.2010.04.015

馆 藏 号：203125647...