基于室温铁磁性的(Fe,Al)共掺杂SiGe铁磁pn二极管的可调整流和磁阻特性

作     者：李加飞 张析 向钢 Jiafei Li;Xi Zhang;Gang Xiang

作者机构：College of PhysicsSichuan UniversityChengdu 610064China 

基　　金：supported by the National Key Research and Development Program of China(2022YFA1405100) the National Natural Science Foundation of China(52172272) 

出 版 物：《Science China Materials》 (中国科学（材料科学）（英文版）)

年 卷 期：2024年第67卷第2期

页      码：573-579页

摘      要：Ⅳ族稀磁半导体因其优异的磁电性能,以及在与当前主流半导体集成技术兼容的自旋电子器件中具有广阔的应用前景而受到越来越多的关注.事实上,具有室温铁磁性的Ⅳ族稀磁半导体及其衍生器件更有望在实际中得以应用.本工作设计并制备了基于p型(Fe,Al)共掺杂SiGe薄膜和n型Ge衬底的磁性pn二极管.磁性测量以及磁阻和反常霍尔效应测试揭示了p型(Fe,Al)共掺杂SiGe薄膜的室温铁磁性.有趣的是,磁性pn异质结表现出磁场可调的整流和磁阻行为.我们的研究结果为制备具有室温铁磁性的Ⅳ族稀磁半导体提供了一种可选策略,并为Ⅳ族稀磁半导体的实际自旋电子应用提供了范例.

主 题 词：diluted magnetic semiconductor SiGe pn junction rectification magnetoresistance 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.1007/s40843-023-2697-x

馆 藏 号：203125853...