SiGe HBT器件低温S参数计算方法

作     者：魏正华 叶小兰 WEI Zhenghua;YE Xiaolan

作者机构：长沙民政职业技术学院电子信息工程学院长沙410000 长沙环境保护职业技术学院环境监测系长沙410000 

基　　金：湖南省教育厅科学研究项目“基于Mesh通信的智慧环境监测系统的研究与应用”(23B1108) 湖南省教育厅科学研究项目“宽阻带高抑制小型腔体滤波器的研究与实践”(22C1436) 长沙民政职业技术学院校级自科研究项目(23mypy08) 

出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)

年 卷 期：2023年第43卷第5期

页      码：992-999页

摘      要：针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件的S参数是用于射频前端电路匹配设计的关键参数,提出一种测量SiGe HBT器件在多个不同温度下的S参数获取该器件低温S参数的计算方法。首先建立SiGe HBT器件在已知直流偏置下的T型小信号电路模型,然后采用常温下测量的器件S参数提取模型中与温度相关性极小的非本征部分元件值作为常量,再测量多个不同温度下的器件S参数构建器件所有本征部分元件参数与温度的近似线性表达式,逐个计算指定低温下所有本征部分元件参数,最后在已知全部参数的T型小信号模型中计算SiGe HBT器件在该低温下的S参数。实验显示该方法计算的低温S参数与测试值有良好的一致性。理论上该计算方法适用的最低温度达到-73℃。

主 题 词：锗硅异质结双极晶体管 S参数 低温 T型小信号电路模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.0258-0934.2023.05.013

馆 藏 号：203125860...