一种低压高PSRR电流模带隙基准电压源的设计

作     者：杨艳军 张成彬 陈鸣 贺娟 YANG Yanjun;ZHANG Chengbin;CHEN Ming;HE Juan

作者机构：遵义师范学院物理与电子科学学院贵州563006 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：贵州省科技厅基础研究计划项目(黔科合基础-ZK一般330) 

出 版 物：《集成电路应用》 (Application of IC)

年 卷 期：2024年第41卷第1期

页      码：30-32页

摘      要：阐述一种改进型电流模带隙基准,通过改变传统结构中电流镜的比例,显著地提高了基准电压的PSRR。采用55nm CMOS工艺同时设计了这两种带隙基准电路,电源电压均为1.2V,输出基准电压为0.6V。Cadence仿真结果表明,传统电流模带隙基准和改进型电流模带隙基准在10Hz的PSRR分别为-63.7dB和-129.4dB,在-40~125℃的温度范围内,其温度系数分别为10.4ppm/℃和19.5ppm/℃。

主 题 词：电子器件 带隙基准 电源抑制比 电流模式 温度系数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19339/j.issn.1674-2583.2024.01.012

馆 藏 号：203125881...