基于DCS工业应用场景的以太网Link Down机制的研究

作     者：金东灿 杨振国 周位强 杜显彬 JIN Dongcan;YANG Zhenguo;ZHOU Weiqiang;DU Xianbin

作者机构：中控技术股份有限公司浙江杭州310053 

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2024年第32卷第4期

页      码：75-79页

摘      要：DCS工业应用场景下,以太网接口需要满足EMC浪涌抗扰度测试3A等级的要求。文中针对以太网百兆电口在浪涌抗扰度测试中出现Link Down故障导致控制趋势跳变这一问题,通过对影响百兆PHY芯片Link Down的主要因素进行理论分析,结合测试结论设计了干扰发生器,并对各厂商的PHY芯片进行浪涌测试和模拟干扰测试。证明了浪涌试验下PHY芯片的差分输入信号畸变时间大于厂商设置的耐受时间导致网口Link Down这一猜想的正确性和模拟干扰测试方法的可靠性。明确了TANS_MAX>150μs作为DCS工业应用场景下PHY芯片选型指标,为芯片选型提供依据。

主 题 词：以太网 浪涌(冲击)抗扰度试验 EMC 100BASE-TX 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

D　O　I：10.14022/j.issn1674-6236.2024.04.016

馆 藏 号：203125922...