水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

作     者：孟兆祥 于广辉 叶好华 雷本亮 李存才 齐鸣 李爱珍 

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 

基　　金：国家863项目(No.2001AA311100) 

出 版 物：《功能材料与器件学报》 (Journal of Functional Materials and Devices)

年 卷 期：2003年第9卷第4期

页      码：469-472页

摘      要：建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH_3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec。

主 题 词：HVPE 流体动力学 氮化镓 反应室 晶体生长 模拟 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-4252.2003.04.022

馆 藏 号：203125944...