隔热环的位置对直拉单晶硅氧含量的影响

作     者：王新强 景华玉 王小亮 刘利国 周涛 万军军 张正 WANG Xinqiang;JING Huayu;WANG Xiaoliang;LIU Liguo;ZHOU Tao;WAN Junjun;ZHANG Zheng

作者机构：双良硅材料(包头)有限公司内蒙古包头014060 

基　　金：创新平台(基地)科技计划项目(XM2022BT11) 

出 版 物：《新技术新工艺》 (New Technology & New Process)

年 卷 期：2024年第433卷第1期

页      码：73-76页

摘      要：应用STR公司研发的专业晶体生长软件CGSim对单晶炉内热场结构进行优化。结果表明,通过在主加热器下部安装隔热环,可有效降低熔体底部的温度,减弱熔体内的对流强度,降低熔体与石英坩埚反应的程度,减少氧杂质传输分凝到晶棒的氧含量。另外,隔热环与主加热器的垂直距离(器环距)与晶棒内的氧含量有一定直接关系。结果表明,随着器环距的增加,抑制熔体对流的作用就越弱;当隔热环位置低于石英坩埚底部时,隔热环的降氧效果将失去。合理地设计器环距能抑制石英坩埚氧杂质的分解,降低晶棒的氧含量。模拟结果显示,当器环距为30 mm时,氧含量最大降低0.6 ppma。

主 题 词：隔热环 器环距 熔体对流 分凝 氧含量 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16635/j.cnki.1003-5311.2024.01.012

馆 藏 号：203126105...