用于离子束刻蚀设备的冷却系统

作     者：袁祖浩 龚俊 黄也 张双景 YUAN Zu-hao;GONG Jun;HUANG Ye;ZHANG Shuang-jing

作者机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所长沙410000 

出 版 物：《制造业自动化》 (Manufacturing Automation)

年 卷 期：2024年第46卷第2期

页      码：61-63,67页

摘      要：为解决因离子束刻蚀基片的温度效应,采用冷却液和氦气冷却相结合的冷却方式,对离子束刻蚀的基片进行冷却,解决了一般冷却液冷却不充分导致基片升温过高的问题,且根据该冷却系统原理设计出工件台和控温系统,装载至M431-12/UM型离子束刻蚀设备上。通过试验验证,结果证明无论是八英寸硅片还是铝制基片盘,在冷却液和氦气冷却相结合的冷却方式下,冷却效果良好,表面温度均未超过50℃,而铝制基片盘表面温度仅为38℃;同时,若将冷却液换成换热类液体,可实现工件台温度控制,其可用于离子束沉积系统等薄膜生长设备的基片温度控制。

主 题 词：离子束刻蚀 温度效应 冷却系统 

学科分类：080704[080704] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1009-0134.2024.02.012

馆 藏 号：203126114...