一种包含物理效应的SiC MOSFET行为模型

作     者：贠团庆 杨芳 刘伟景 李清华 YUN Tuan-qing;YANG Fang;LIU Wei-jing;LI Qing-hua

作者机构：上海电力大学电子与信息工程学院上海200090 深圳锐越微技术有限公司广东深圳518172 

基　　金：国家自然科学基金(52177185 62174055) 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2024年第58卷第1期

页      码：118-120,124页

摘      要：建立了一种基于PSpice的碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)行为模型,该模型采用非分段方程拟合器件静态I-U特性和动态C-U特性。通过在模型中引入数学修正项,展现了相关物理效应和温度对器件特性的影响。提出了一种参数提取流程,模型参数提取所用器件测试数据通过SiC MOSFET商用数据手册获得,不需要进行复杂的器件特性测试实验,简化了建模流程。最终通过仿真和双脉冲测试验证了模型的静态和动态特性。结果表明,该模型在预测SiC MOSFET器件行为方面具有足够的精度和效率,为功率变换电路设计提供了一个实用的仿真模型。

主 题 词：晶体管 物理效应 双脉冲测试 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-100X.2024.01.030

馆 藏 号：203126130...