β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结界面的结构和电子性质

作     者：王佳琳 师俊杰 彭彦军 周泽民 周雄 桂庆忠 郭宇铮 WANG Jialin;SHI Junjie;PENG Yanjun;ZHOU Zemin;ZHOU Xiong;GUI Qingzhong;GUO Yuzheng

作者机构：广西电网有限责任公司广西南宁530023 广西电网有限责任公司桂林供电局广西桂林541002 

基　　金：广西电网公司科技项目资助(项目编号:GXKJXM20220095) 

出 版 物：《武汉大学学报（工学版）》 (Engineering Journal of Wuhan University)

年 卷 期：2024年第57卷第2期

页      码：217-222页

摘      要：利用第一性原理计算,系统性地研究了β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结界面的结构和电子性质。利用满足电子计数规则的成键模型,构建了具有粗糙度小和带隙干净的绝缘界面,Si-O键在该界面的化学键中占主导地位。计算结果表明:对于β-Ga_(2)O_(3)和4H-SiC而言,利用杂化泛函计算得到的带隙分别为4.7 eV和3.35 eV,与实验值吻合较好;对于β-Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结界面,该界面表现出半导体特性,其直接带隙为0.46 eV;同时,β-Ga_(2)O_(3)与4H-SiC形成Ⅱ型能带对齐,计算得到的价带偏移为1.72 eV,导带偏移为0.18 eV。所得结果对设计基于β-Ga_(2)O_(3)和4HSiC的电子器件具有重要意义。

主 题 词：Ga_(2)O_(3)/4H-SiC异质结 界面性质 能带对齐 第一性原理计算 

学科分类：080802[080802] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.14188/j.1671-8844.2024-02-011

馆 藏 号：203126133...