金属功函数波动效应快速预测方法及验证

作     者：李怡宁 杨兰兰 屠彦 LI Yining;YANG Lanlan;Tu Yan

作者机构：东南大学电子科学与工程学院南京210096 南京集成电路设计自动化技术创新中心南京210031 

基　　金：江苏省重点研发计划项目(BE2022058-3) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2024年第44卷第1期

页      码：65-71页

摘      要：金属功函数波动作为器件制造过程中的主要工艺波动源之一,其波动变化对器件电学特性有极大的影响。本文提出一种简便、快速预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法,并将其与商业软件中计算功函数波动的统计阻抗场法进行对比分析。参考IBM公司发布的14 nm SOI FinFET结构建立FinFET器件仿真模型并与实验数据对比验证后,引入金属功函数波动,分别用统计阻抗场法与本文提出的快速预测方法计算得到对应随机波动下模型的阈值电压V_(th)、关断电流I_(off)、工作电流I_(on)等电学特性参数的随机分布及这些参数结果的期望值、标准差、极差等统计参数,通过两者结果对比验证了快速预测方法的准确性。

主 题 词：FinFET 功函数波动效应 电学特性仿真 统计阻抗场法 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.12450/j.gtdzx.202401012

馆 藏 号：203126134...