3300 V高性能混合SiC模块研制

作     者：刘艳宏 杨晓菲 王晓丽 荆海燕 刘爽 LIU Yanhong;YANG Xiaofei;WANG Xiaoli;JING Haiyan;LIU Shuang

作者机构：中车永济电机有限公司西安710016 

基　　金：国家重点研发计划(2018YFB1201802-3) 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2024年第44卷第1期

页      码：13-18页

摘      要：将Si基绝缘栅双极型晶体管(Insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片与SiC结型势垒肖特基二极管芯片按照双开关电路结构排布,开发了一种3 300 V等级混合SiC模块,对其设计方法、封装工艺、仿真、测试结果进行分析,并对标相同规格IGBT模块。混合SiC模块低空洞率焊接满足牵引领域高温度循环周次的要求,冗余式的连跳键合结构可以有效增强功率循环能力。采用双脉冲法测试动态性能,测试结果表明该混合SiC模块反向恢复时间减小了84%,反向恢复电流减小了89.5%,反向恢复能量减小了99%,一次开关产生的总损耗降低了43.3%。混合SiC模块消除了开关过程中电压和电流过冲现象,在高电压、大电流和高频率的应用工况下具有明显的优势。

主 题 词：绝缘栅双极型晶体管 结型势垒肖特基二极管 混合SiC模块 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.12450/j.gtdzx.202401003

馆 藏 号：203126135...